VDMOS产品

来源:     作者:系统管理员     发布时间:2009年05月07日     浏览次数:         
 

时时彩十大信誉的平台 www.fantangledesigns.com 一、 产品选型

1、60V200VVDMOS产品,主要应用于电源管理及DC/DC转换器、UPS电源及汽车应用等;

2、大于200VVDMOS产品,用于开关电源、工业电机控制及电子整流器等;

3、 后继将开发和生产低于60V的产品,应用于电池管理及DC/DC转换器等。

      项目产品类型

序号

产品型号

电压(V

电流(A

1

50N06

60

50

2

75NF75

75

75

5

IRF630

200

9

6

IRF640

200

18

7

IRF634

250

8

9

IRF730

400

5

10

IRF740

400

10

11

IRF830

500

4.5

12

IRF840

500

9

13

1N60

600

1

14

7N60

600

7

15

7N80

800

7

16

1N80

800

1

17

9N90

900

9

18

6N90

900

6

 

二、 技术特点

与双极型功率器件相比,功率VDMOS具有如下特点:

1、VDMOS是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件),因此在驱动大电流时无需推动级,电路较简单;

2、输入阻抗高,可达108Ω以上;

3、工作频率范围宽,开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒),开关损耗??;

4、有较优良的线性区,并且MOSFET的输入电容比双极型的输入电容小得多,所以它的交流输入阻抗极高;噪声也小,最合适制作Hi-Fi音响;

5、功率VDMOS可以多个并联使用,增加输出电流而无需均流电阻。

三、技术优势

掌握了具有自主知识产权的量产关键技术:

1、实现产品设计、生产工艺与硅外延材料的最佳匹配;

2、实现对栅氧化膜膜厚均匀性与氧化层击穿韧性的控制;

3、通过设备改造实现静电防护并改变P阱内杂质分布,提高产品动态特性;

4、优化和完善铝下钝化工艺,提高产品特性和生产良品率。

四、工艺技术路线

以中压N沟道平面工艺的VDMOS产品为突破口,完成60V800V产品的系列化,在此基础上,向低压凹槽工艺的VDMOS产品延伸,同时实现P沟道VDMOS产品的开发。通过技术交流或技术转移寻找技术合作伙伴,进入IGBT和快恢复二极管领域。

五、年产量

集团公司利用自主知识产权,实施VDMOS生产线建设、厂房和动力设施建设,通过工艺集成和实用产品的试流,对工艺进行优化,实现大功率VDMOS产品规模生产,已形成年产 5英寸 功率半导体器件芯片2.2万片生产能力。